光刻機(jī)，被譽(yù)為芯片產(chǎn)業(yè)的皇冠明珠，曾經(jīng)是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)，它被視為比還稀缺的存在，制造難度極高，工藝復(fù)雜，涉及多國(guó)頂尖技術(shù)的集成。

然而，在前幾天項(xiàng)立剛表示，這顆曾經(jīng)被人垂青的明珠如今卻正在逐漸變成中國(guó)自主掌控的玻璃珠，標(biāo)志著中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)了新的起點(diǎn)。

本文陳述內(nèi)容皆有可靠信息來源，贅述在文章結(jié)尾，部分細(xì)節(jié)存在藝術(shù)加工請(qǐng)注意甄別。

早在上世紀(jì)80年代，中國(guó)就已經(jīng)開始了自主研制光刻機(jī)的嘗試，然而，由于當(dāng)時(shí)基礎(chǔ)薄弱、技術(shù)實(shí)力有限，加之缺乏關(guān)鍵零部件供給，這一努力最終不得不放棄。

主要基于光刻機(jī)是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，代表了集成電制造的最高技術(shù)水平玻璃珠。

掌握了光刻機(jī)，就等于掌握了芯片制造的命門，直接關(guān)系到一個(gè)國(guó)家在電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。

由于芯片產(chǎn)業(yè)被認(rèn)為是支撐國(guó)家綜合國(guó)力的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，擁有先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)和制造能力意味著在國(guó)防、航空航天、人工智能等領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

國(guó)家出于自身戰(zhàn)略利益的需求，不希望中國(guó)在芯片領(lǐng)域取得重大突破，因?yàn)橹袊?guó)是國(guó)家的主要經(jīng)濟(jì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展有利于國(guó)家在這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷地位。

另一方面，一些國(guó)家擔(dān)心，如果中國(guó)掌握了先進(jìn)芯片制造技術(shù)，可能會(huì)將其用于軍事等領(lǐng)域，從而到國(guó)家的，因此，對(duì)中國(guó)實(shí)施技術(shù)成為一種防范措施。

最后，光刻機(jī)技術(shù)高度復(fù)雜精密，很多關(guān)鍵零部件和技術(shù)都掌握在國(guó)家手中，出于知識(shí)產(chǎn)權(quán)的考慮，國(guó)家不愿意將這些核心技術(shù)轉(zhuǎn)讓給中國(guó)。

直到近年來，隨著國(guó)家持續(xù)大力投入和科研實(shí)力的不斷增強(qiáng)，中國(guó)才在這一領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。

經(jīng)過20多年的自主研發(fā)，上海微電子在ArF(193納米)和KrF(248納米)光刻機(jī)領(lǐng)域達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

其ArF和KrF光刻機(jī)已實(shí)現(xiàn)批量供貨，成為華為海思、紫光展銳等龍頭芯片企業(yè)的重要供應(yīng)商。

華卓精科則在EUV(13.5納米)極紫外光刻機(jī)領(lǐng)域取得突破，EUV光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的光刻設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)5納米及以下的超精細(xì)制程。

而華為憑借這一技術(shù)實(shí)現(xiàn)了7納米芯片的量產(chǎn)，結(jié)束了長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的被動(dòng)局面。

中微半導(dǎo)體則專注于I-line(365納米)光刻機(jī)的研發(fā)，經(jīng)過十幾年的努力，終于實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，只不過距離真正的I-line光刻機(jī)還有有些差距。

與此同時(shí)，中微半導(dǎo)體還在加緊推進(jìn)14納米技術(shù)的研發(fā)，有望在未來兩到三年內(nèi)投產(chǎn)。

除上述三家龍頭企業(yè)外，國(guó)內(nèi)還涌現(xiàn)出一批技術(shù)實(shí)力不俗的新興公司，如中科精華、常州新威半導(dǎo)體、納芯科技等，分別在ArF、KrF和EUV等不同技術(shù)線上取得進(jìn)展。

可以說，中國(guó)自主研發(fā)的光刻機(jī)已在很多領(lǐng)域取得了重要突破，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，在ArF和KrF光刻機(jī)領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化率已經(jīng)很高了。

在28納米及以上制程的I-line光刻機(jī)上，國(guó)產(chǎn)替代已初見成效;而在14納米及以下先進(jìn)制程，多家企業(yè)的技術(shù)線圖已漸趨清晰。

然而，與國(guó)際先進(jìn)水平相比，中國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)仍存在一定差距，最突出的短板在于EUV光刻機(jī)，該技術(shù)目前仍被荷蘭ASML公司完全壟斷。

為實(shí)現(xiàn)徹底的自主可控，中國(guó)制定了明確的發(fā)展線納米制程工藝的國(guó)產(chǎn)化，用國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)滿足80%以上國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)的需求。

3年之內(nèi)，則將力爭(zhēng)打破EUV光刻機(jī)的技術(shù)壟斷，成為全球第一家掌握EUV量產(chǎn)技術(shù)的光刻機(jī)生產(chǎn)商。

科研人員咬牙苦干，通過自主創(chuàng)新，逐步掌握了光刻機(jī)所需的關(guān)鍵技術(shù)，不斷提高本土零部件的自制能力。

中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域取得的成就，只是自主創(chuàng)新征程中的一個(gè)里程碑，未來，中國(guó)將繼續(xù)瞄準(zhǔn)EUV光刻機(jī)等先進(jìn)技術(shù)。

目前，全球芯片制程發(fā)展的最新方向就是EUV，它利用極紫外線短波長(zhǎng)描繪芯片圖紋，可在同樣尺寸上放置更多電元件，大幅提高芯片的集成度。

X射線光刻機(jī)利用波長(zhǎng)更短的X射線納米甚至更精細(xì)的芯片制程，有望成為EUV的繼任者。

當(dāng)然，X射線光刻機(jī)在制造和應(yīng)用上也面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，比如掩模板的制造工藝異常復(fù)雜且昂貴，X射線的控制和安全防護(hù)也存在一定困難。

不過，這些困難并不能中國(guó)人的決心，事實(shí)上，多家單位已經(jīng)在X射線光刻機(jī)領(lǐng)域展開了前瞻性研究，取得了初步進(jìn)展，為未來突破奠定基礎(chǔ)。

從光刻機(jī)的發(fā)展歷程可以看出，中國(guó)突破技術(shù)的決心是堅(jiān)定的，自主創(chuàng)新的內(nèi)生動(dòng)力也是充沛的。

回顧中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域的發(fā)展歷程，其中的曲折和艱辛可以說是整個(gè)中國(guó)科技自立自強(qiáng)進(jìn)程的一個(gè)縮影。

從早期的自主研制與中途放棄，到后來依賴進(jìn)口受制于人，再到如今重新自主可控取得突破，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)走過了一條漫長(zhǎng)而曲折的道。

當(dāng)前，即便已取得重大突破，但中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的整體自主水平仍有待提高，本土化程度也有進(jìn)一步提升的空間。

無論面臨何種困難和，中國(guó)必將以自主創(chuàng)新的力量突破重圍，譜寫規(guī)則的嶄新篇章，因?yàn)?，?duì)于充滿雄心壯志的中國(guó)來說，沒有什么是真正無法突破的!

觀察者網(wǎng)——2024-06-05《英特爾CEO：如果美出口管制太嚴(yán)，中國(guó)就必須生產(chǎn)自己的芯片》